1. Если К М, то сначала происходит склеивание одних подмножеств, и, если этого окажется недостаточно, разрезание других на требуемые по объёму части. Склеивание происходит обратным образом: выбирается часть т, и путём перебора выбираются оптимальные множества из К, которые будут составлять это множество М. 2. Если k < т, то сначала происходит разрезание некоторых раскрашенных подмножеств, и затем склеивание их до получения заданных в задаче компоновки блоков.

КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ

В промышленных электрических сетях наряду с активной потребляется значительное количество реактивной мощности. Она потребляется электроприемниками: в асинхронных двигателях, в балластных сопротивлениях газоразрядных ламп, в преобразовательных установках, в индукционных печах и т. д. Реактивная мощность нагрузки предприятия в целом соизмерима с активной, а для многих предприятий реактивная мощность существенно превышает активную. Как известно, реактивная мощность может вырабатываться не только генераторами станций, но и другими источниками, так называемыми компенсирующими устройствами, которые могут устанавливаться близ потребителей реактивной мощности. Основные типы компенсирующих устройств, пользуемых для генерации реактивной мощности в промышленных сетях, ияются: синхронные компенсаторы, синхронные двигатели, статические иденсаторы. Хотя выработка 1 киловара реактивной мощности на станцистоит в несколько раз меньше, чем выработка с помощью компенсирую X устройств, техникоэкономические расчеты показывают, что реактивная щность должна вырабатываться в непосредственной близости от потребили. Это обстоятельство, в частности, связано с использованием мощных, ораторов с относительно высоким коэффициентом мощности, ростом отяжеиности и номинального напряжения в основных сетях энергосистем, связи с чем затрудняется передача реактивной мощности от станции к носителям и снижается ее экономичность. Для того чтобы бежать этих явлений, необходимо оборудовать компенсирующие установ: устройствами регулирования их реактивной мощности. Автоматическое снижение мощности установок может осуществляться по следующим раметрам: время суток, напряжение, ток нагрузки, значение и направление активной мощности . Выбор параметра регулирования определяется (нкретными условиями характером графиков активной и реактивной наузок, характеристиками сети, режимом напряжения в сети и т.п.

В настоящее время структуры с квантовыми ямами являются базовым вариантом структур для создания современных лазеров и светодиодов. Основным параметром полупроводниковой гетероструктуры является величина разрыва энергетических зон на гетерогранице. Разрыв зон в существенной степени контролирует электронные состояния в гетероструктурах и, следовательно, выходные параметры готовых полупроводниковых приборов. Цель данной работы - определить влияние механических деформаций, возникающих при псевдоморфном росте тонких слоев InxGa,.xAs на подложке GaAs, на разрывы энергетических зон.

На начальном этапе роста тонкого слоя InxGa,.xAs на подложке GaAs, рассогласованного по периоду кристаллической решетки, под действием механических напряжений изменяются межплоскостные расстояния, параллельные и перпендикулярные гетерогранице. С использованием модели механического равновесия Мэтьюса-Блэксли была вычислена критическая толщина эпитаксиального слоя lnxGa,.xAs (х<0.3) на подложке GaAs. Для определения параметров зонной структуры была использована модель идеального твердого тела {model-solid thory) , распространенная ' для тройных твердых растворов. Под действием деформаций сжатия ширина запрещенной зоны увеличивается на 107 мэВ (для х=0.25) по сравнению с ненапряженной структурой. Разрывы валентной зоны и зоны проводимости уменьшаются на 135 и 28 мэВ соответственно. Построены зависимости параметров зонной структуры от состава твердого раствора квантовой ямы. Выявлена возможно сть управления шириной запрещенной зоны твердого раствора за счет возникающих механических деформаций.

В цифровой компрессии актуальной задачей является устранение избыточности изображения, которая решается с помощью аппарата ортогональных преобразований. Наиболее эффективным до недавнего нремени считалось применение дискретного косинусного преобразования (ДКП), основным недостатком которого является появление блочных артефактов при высоких уровнях сжатия данных. Однако свертка изображения с вещественными коэффициентами выполняется долго, что делает невозможным применение ВП для систем реального времени. Лифтинг-схема уменьшает число операций примерно в два раза. Также лифтинг-схема позволяет перейти от вещественных операций к целочисленным. Был реализован алгоритм вычисления известного биортогонального преобразования Добеши 9/7 с использованием упомянутой лифтинг-схемы. Этот алгоритм применяется в схеме компрессии видео-последовательности.

Автоматизация расчета параметров источника опорного напряжения

Автоматизированные методы создания прецизионных источников опорного напряжения позволяют сократить время разработки схемы в целом, а также учитывать технологические отклонения параметров компонентов. Создана программа, позволяющая по входным данным рассчитать прецизионный источник опорного напряжения на ширине запрещенной зоны полупроводника. После введения точности ИОН, тока потребления, температурного диапазона, параметров резисторов и транзисторов, а также их технологических уходов, выдается рассчитанная схема ИОН, а также способ его подстройки.

Производится моделирование схемы с учетом технологических уходов резисторов и транзисторов, после чего выводятся соответствующие графики. В случае невозможно сти создания ИОН с введенными характеристиками выводится сообщение об этом с предложением изменить требования к параметрам ИОН. При повышенной точности источника опорного- напряжения важную роль играет его подстройка после изготовления схемы. Разработана программа, которая автоматически рассчитывает число подстроечных резисторов и шаг подстройки, а также выводит алгоритм, по которому ее необходимо произвести. Программа позволяет сделать оценку максимальной точности источника опорного напряжения, который может быть сделан по данной технологии. На основе изложенных принципов разработан и изготовлен ИОН по биполярной полуторомикронной технологии. Ток потребления равен 40мкА. Температурный уход составил 4ррт/°С. Зависимость опорного напряжения от напряжения питания OOppm/В. Таким образом, суммарный уход опорного напряжения составил менее 700мкВ в диапазоне температур от -25°С до +75°забывайте - вы - будущие родители